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Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 540 mOhm @ 6A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 39nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1930pF @ 25V |
功率 - 最大 | 42W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
标准包装 | 50 |
供应商设备封装 | TO-220F |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 540 mOhm @ 6A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 42W |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1930pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 39nC @ 10V |
系列 | FDPF13N50 |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 540 mOhms |
长度 | 10.67 mm |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 12 A |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
身高 | 16.3 mm |
安装风格 | Through Hole |
宽度 | 4.7 mm |
通道数 | 1 Channel |
Qg - Gate Charge | 39 nC |
Pd - Power Dissipation | 42 W |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
技术 | Si |
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